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STB8NM60D - STMicroelectronics

Name: STMicroelectronics STB8NM60D
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB8NM60D
Availability: InStock
Rating: 5 (9 reviews)

Hersteller Artikelnummer: STB8NM60D

Hersteller: STMicroelectronics

Allelco Artikelnummer: 32D-STB8NM60D

Garantie: 1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus

Teile Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK

Verpackung: D2PAK

Datenblatt: 1.STB8NM60D.pdf ...

Datenblätter
ST(B,P)8NM60D.pdf

PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf

RoHS Status: ROHS3 -konform

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Spezifikation

STB8NM60D Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB8NM60D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB8NM60D

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	100W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)
Grundproduktnummer	STB8NM60

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT	BESCHREIBUNG
RoHS Status	ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)	1 (Unlimited)
Status erreichen	REACH Unaffected
ECCN	EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STB8NM60D

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET

Produktfunktionen und Leistung

Betriebstemperaturbereich: -65 ° C bis 150 ° C

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V

Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 1 Ω @ 2,5A, 10 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 8a @ 25 ° C

Eingangskapazität (CISS): 380PF @ 25V

Leistungsdissipation (TC): 100W

Gate Ladung (QG): 18nc @ 10v

Produktvorteile

Hohe Breakdown -Spannung

Niedriges On-Resistenz

Hochleistungshandhabungsfähigkeit

Oberflächenmontageverpackung

Wichtige technische Parameter

MOSFET -Technologie

N-Kanalkonfiguration

Schwellenspannung (VGS (TH)): 5V @ 250A

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Klebeband und Rollenverpackung

Kompatibilität

To-263-3, dpak (2 leitete + tab), to-263ab-Paket

Anwendungsbereiche

Schaltmodus-Netzteile

Motor fährt

Industrielle Elektronik

Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Aktiv verfügbar

Austausch- oder Upgrade -Optionen können verfügbar sein

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten

Niedrige On-Resistenz für eine verbesserte Effizienz

Kompakte Oberflächenmontagepaket

Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB8NM60D.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	STB8NM60T4	STB8NM60N	STB8N50ET4	STB8N65M5
Hersteller	STMicroelectronics	STMicroelectronics	onsemi	STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse	-	196-NFBGA (12x12)	16-PDIP	64-VQFN (9x9)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-	-	-	-
Vgs (Max)	-	-	-	-
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-	-	-	-
Typ FET	-	-	-	-
Serie	-	-	-	-
FET-Merkmal	-	-	-	-
Grundproduktnummer	-	DAC34H84	MAX500	ADS62P42
VGS (th) (Max) @ Id	-	-	-	-
Befestigungsart	-	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
Paket	-	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Technologie	-	-	-	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-	-	-	-
Betriebstemperatur	-	-40°C ~ 85°C	0°C ~ 70°C	-40°C ~ 85°C
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	-	-	-
Verlustleistung (max)	-	-	-	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-	-	-	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	-	-	-	-
Verpackung / Gehäuse	-	196-LFBGA	16-DIP (0.300', 7.62mm)	64-VFQFN Exposed Pad

STB8NM60D Datenblatt PDF

Laden Sie STB8NM60D PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB8NM60D - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter: ST(B,P)8NM60D.pdf
PCN -Design/Spezifikation: D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf

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Bewertung: 10 Artikel

Jess***Jones

2026/04/17

It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.
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2026/04/17

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Aman***arris

2026/04/3

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Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.
Daic***K.

2026/03/23

Very good. No issue after long time testing.
Kevi***.

2026/03/17

Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC
Daou***hekebkeb

2024/06/16

I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend
Uri ***al

2024/06/19

Good comunication,
Transpnt regarding the process and price.
Yaqu***l Ali

2024/06/19

Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.
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2024/06/19

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Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

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Very good. No issue after long time testing.

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