Hersteller Teilnummer
STBV32-AP
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Bipolarer Junction Transistor (BJT), Single, NPN
Produktfunktionen und Leistung
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 400 V.
Stromsammler (IC) (max): 1,5 a
Strom Collector Cutoff (max): 1 mA
VCE -Sättigung (max) @ ib, IC: 1,5 V @ 500 mA, 1,5 a
Gleichstromverstärkung (HFE) (min) @ IC, VCE: 5 @ 1 A, 2 V.
Power max: 1,5 w
Betriebstemperatur: 150 ° C (TJ)
Produktvorteile
Hohe Breakdown -Spannung
Hohe Stromfähigkeit
Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung
Guter aktueller Gewinn
Wichtige technische Parameter
Transistortyp: NPN
Montagetyp: Durch Loch
Paket / Fall: TO-226-3, bis 92-3 (to-226aa) geformte Leads
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Lieferantengerätepaket: TO-92AP
Anwendungsbereiche
Diskrete Halbleiterprodukte
Bipolare (BJT) transistoren Single
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine Informationen zum Absetzen oder zum Austausch
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannung und Stromfähigkeit
Niedrige Sättigungsspannung
Guter aktueller Gewinn
Robustes Durchleitungspaket
ROHS -Einhaltung der Umweltsicherheit
STBR6012WSTMicroelectronics