Hersteller Teilnummer
STD100N10F7
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für hohe Schaltfrequenz und niedrige Leitungsverluste
Niedrige On-Resistenz- und schnelle Schaltfähigkeit
Geeignet für hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische Management und Stromversorgung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Kompaktes und platzsparendes DPAK-Paket
Wichtige technische Parameter
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 100 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 8mΩ @ 40a, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 80A @ 25 ° C.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Power Wechselrichter
Beleuchtungsballasts
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelle Produktion, keine Abbruchpläne
Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Effizienz und thermische Leistung
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Kompaktes und platzsparendes Paket
Breite Kompatibilität und weit verbreitete Verwendung

STD100GK12BSIRECTIFIERIGBT Module