Hersteller Teilnummer
STD10NM65N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET im DPAK-Paket
Produktfunktionen und Leistung
650 V Drain-Source-Spannung
9a kontinuierlicher Abflussstrom
480 mΩ On-Resistenz
Niedrige Eingangskapazität von 850PF
90W -Leistungsdissipation
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Ausgezeichnete Leistungsdichte und Effizienz
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung: 650 V
Gate-Source-Spannung: ± 25 V
Vor Ort: 480mΩ @ 4,5a, 10V
Kontinuierlicher Abflussstrom: 9a
Eingabekapazität: 850pf @ 50V
Leistungsdissipation: 90W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
DPAK -Paket für eine zuverlässige Oberflächenmontagebaugruppe
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen mit Hochspannungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgungen
Motor fährt
Induktionsheizung
Beleuchtungsballasts
Schweißausrüstung
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist ein aktives und weit verbreitetes Gerät
Die Ersatz- oder Upgrade -Optionen sind bei STMICROELECTRONICS erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistungsdichte und Effizienz
Robuste und zuverlässige Leistung
Breiter Betriebstemperaturbereich
Geeignet für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen
ROHS3 -konform und DPAK -Paket für zuverlässige Montage
