Hersteller Teilnummer
STD130N4F6AG
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Dieses Produkt ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor, der für Automobil- und Industrieanwendungen geeignet ist.
Produktfunktionen und Leistung
40V Abflussspannung
80a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
Niedrige On-Resistenz von 3,6 mΩ bei 40a, 10 V
Schnelle Schaltleistung mit 70 nc Gate -Ladung bei 10 V.
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C
AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert
Kompaktes DPAK (to-252) -Paket
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische und elektrische Eigenschaften
Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Kompaktes und platzsparendes Design
Geeignet für Hochleistungs- und Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDS): 40 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 3,6 mΩ bei 40a, 10 V
Durchgangsabflussstrom (ID): 80a bei 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 4260PF bei 25 V
Leistungsdissipation (PD): 143W bei TC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert
Klebeband und Rollenverpackung für die Oberflächenmontagebaugruppe
Kompatibilität
Dieses MOSFET ist mit einer Vielzahl von elektronischen Schaltkreisen und Stromumrechnungssystemen kompatibel.
Anwendungsbereiche
Automobilelektronik (Motorfahrten, Servolenkung usw.)
Industriemachtelektronik (Wechselrichter, Wandler usw.)
Batteriemanagementsysteme
Geräte- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in der Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen.Austausch- oder Upgrade -Optionen können beim Hersteller erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete elektrische und thermische Leistung für Hochleistungsanwendungen mit Hochleistungsanwendungen
Kompaktes DPAK-Paket für platzsparende Designs
AEC-Q101-Qualifikation für zuverlässige Automobilanwendungen
Breiter Betriebstemperaturbereich für vielseitige Anwendungen
Effizienter und zuverlässiger Betrieb mit geringem Auftragsresistenz
