Hersteller Teilnummer
STD25NF10LA
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Channel-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET in einem DPAK (to-252-3) -Paket.
Produktfunktionen und Leistung
In der Lage, bis zu 25A mit einem kontinuierlichen Abflussstrom bei 25 ° C zu handhaben
Niedrige On-Resistenz von 35 mΩ max.bei 12,5a, 10V
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C
Sehr niedrige Eingangskapazität von 1710pf max.bei 25 V
Stützt die Gate -Spannung von ± 16 V
Hochleistungsdissipation von 100 W bei 25 ° C
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische Leistungs- und Leistungshandhabungsfähigkeit
Kompaktes und platzsparendes DPAK-Paket
Geeignet für Hochspannungsanwendungen mit Hochspannungsschaltanwendungen
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 100 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 16 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 35 mΩ max.bei 12,5a, 10V
Durchgangsabflussstrom (ID): 25a bei 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 1710PF max.bei 25 V
Leistungsdissipation (PD): 100 W bei 25 ° C.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für hochverträgliche, sicherheitskritische Anwendungen
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen Stromversorgungs-, Motorkontroll- und Schaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Industrielle Automatisierungsausrüstung
Kfz -Elektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und weit verbreitet
Austausch oder Upgrades können beim Hersteller erhältlich sein, wenn sich die Technologie entwickelt
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistungshandhabung und thermische Leistung
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Breiter Betriebstemperaturbereich für verschiedene Anwendungen
Kompaktes und platzsparendes DPAK-Paket
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit für sicherheitskritische Verwendungen
ROHS3 Compliance für ökologische Nachhaltigkeit
STD25NF20HTSTMicroelectronics
STD2596-ADJSEMTRON