Hersteller Teilnummer
STD26P3LLH6
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
30 V Drain-Source-Spannung
12a kontinuierlicher Abflussstrom
30 mΩ Maximal On-Resistenz
175 ° C Maximale Anschlusstemperatur
Niedrige Eingangskapazität von 1450PF
40W maximale Leistung Dissipation
Produktvorteile
Effiziente Leistungsschaltung
Zuverlässiger Hochtemperaturbetrieb
Kompakte Dpak -Oberflächenmontagepaket
Wichtige technische Parameter
P-Kanal-MOSFET-Technologie
30 V Drain-Source-Spannung
12a kontinuierlicher Abflussstrom
30 mΩ Maximal On-Resistenz
1450PF Maximale Eingangskapazität
40W maximale Leistung Dissipation
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
DPAK Surface Mount -Paket
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Stromschaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Kfz -Elektronik
Industrial Control Systems
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, kein Absetzen geplant
Ersatz und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Effiziente Leistung für Stromschaltungen
Zuverlässiger Hochtemperaturbetrieb
Kompaktes und platzsparendes DPAK-Paket
ROHS3 Compliance für die Umweltsicherheit
STD27GK08SIRECTIFIERIGBT Module
STD25NF10T4 MOSSTMicroelectronics
STD26NF10T4Electro-Films (EFI) / Vishay