Hersteller Teilnummer
STD2NK60Z-1
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Leistungskonvertierungsanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für Hochfrequenzwechsel
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Hochdrainer-Source-Breakdown-Spannung für Hochspannungsanwendungen
Niedrige Gate -Ladung für schnelles Schalten
Lawine bewertet für den robusten Betrieb
Produktvorteile
Ausgezeichnete Leistungsfähigkeitsfunktionen
Zuverlässiges und robustes Design
Geeignet für Hochspannungsanwendungen mit hoher Stromanwendungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 600 V.
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
Widerstand auf dem Staat (RDS (Ein)): 8 Ω @ 700 mA, 10 V.
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 1,4 a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 170 PF @ 25 V.
Stromversorgung (PC): 45 W.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Robustes Design für hohe Zuverlässigkeit
Robust gegen Avalanche -Ereignisse
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in Leistungsumwandlung, Motorsteuerung und Schaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Stromversorgungsversorgungen
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in Produktion und nähert sich nicht dem Abbruch
Ersatz- oder verbesserte Produkte können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungs-Leistungsfunktionsfunktionen
Hervorragende Effizienz und Schaltleistung
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Geeignet für Hochspannungsbedürfnisse mit hoher Stromumrechnung
ROHS3 Compliance für umweltfreundliche Nutzung
STD2NK80ZSTMicroelectronics