Hersteller Teilnummer
STD3N65M6
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Der STD3N65M6 ist eine Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMICROELECTRONICS.Es ist Teil der MDMESH M6 -Serie, die für eine breite Palette von Leistungsumwandlungs- und Kontrollanwendungen ausgelegt ist.
Produktfunktionen und Leistung
Hohe Blockierungsspannung von 650 V
Niedrige On-Resistenz von 1,5 Ω bei 1,75a, 10 V
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Verbesserte Schaltleistung mit niedriger Eingangskapazität von 150 PF bei 100 V.
Maximale Leistung von 45 W bei Falltemperatur
Produktvorteile
Ausgezeichnete Energieeffizienz und Zuverlässigkeit
Reduzierte Leitung und Schaltverluste
Verbessertes thermisches Management
Geeignet für harte Umweltbedingungen
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
Durchgangsabflussstrom (ID): 3,5a bei 25 ° C
On-Resistenz (RDS (ON)): 1,5 Ω bei 1,75a, 10 V
Eingangskapazität (CISS): 150PF bei 100 V
Gate Ladung (QG): 6NC bei 10 V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Einhaltung der Richtlinie zur ROHS 3
Verpackt in DPAK (TO-252-3) Oberflächenmontagevorrichtung
Kompatibilität
Der STD3N65M6 ist mit einer Vielzahl von Stromversorgungs- und Motorsteuerungsanwendungen kompatibel.
Anwendungsbereiche
Switch-Mode-Netzteile (SMPS)
Motor fährt
Industrieautomatisierung und Steuerungssysteme
Erneuerbare Energiesysteme
Beleuchtungs- und LED -Treiberanwendungen
Produktlebenszyklus
Der STD3N65M6 ist ein aktives Produkt im STMICROELECTRONICS -Portfolio.Es gibt keine Pläne für die Absage und Ersatz- oder Upgrade -Optionen sind verfügbar.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Ausgezeichnetes thermisches Management
Robuste Leistung in harten Umgebungen
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen
Teil der bewährten M6 -M6 -Serie aus einem führenden Halbleiterhersteller
STD3NC50T4STMicroelectronics
STD3N45K3STM
STD3N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK