Hersteller Teilnummer
STD3NM60N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Das STD3NM60N ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der MDMESH II-Serie von STMicroelectronics, die für verschiedene Leistungselektronikanwendungen ausgelegt sind.
Produktfunktionen und Leistung
600 V Drain-to-Source-Spannung (VDSS)
8 Ω Maximal On-Resistenance (RDS (ON)) bei 1,65a, 10 V
3a kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bei 25 ° C
50W Maximal Power Dissipation (TC)
Breiter Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 150 ° C
Schnelle Schalteigenschaften
Niedrige Gate -Ladung (qg) von 9,5 nc bei 10 V
Produktvorteile
Hoher Effizienz und niedriger Stromverlust
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochspannungsantriebsanwendungen
Kompaktes DPAK (TO-252-3) Paket
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 1,8 Ω @ 1,65A, 10V
Abflussstrom (ID): 3.3a (TC)
Eingangskapazität (CISS): 188PF @ 50V
Gate -Ladung (QG): 9,5NC @ 10V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen
Robustes und zuverlässiges Design
Kompatibilität
Geeignet für verschiedene Leistungselektronikanwendungen, wie z. B.:
- Switch-Mode-Stromversorgungen
- Motor fährt
- Wechselrichter
- Konverter
Anwendungsbereiche
Leistungsumwandlung und Kontrolle
Industrieautomatisierung
Haushaltsgeräte
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Der STD3NM60N ist ein aktives Produkt und nähert sich nicht dem Absetzen.
Austausch- oder Upgrade -Optionen können bei STMICROELECTRONICS oder anderen Herstellern erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hoher Effizienz und niedriger Stromverlust
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen
Kompaktes DPAK (TO-252-3) Paket
Breiter Betriebstemperaturbereich
Schnelle Schalteigenschaften
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
STD3PK50Z MOSSTMicroelectronics
STD40N06LZVBsemi