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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD4N62K3
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STD4N62K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD4N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD4N62K3
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
Verpackung
DPAK
Datenblatt
1.STD4N62K3.pdf ...

Datenblätter

ST(B,D)4N62K3.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STD4N62K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD4N62K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD4N62K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 1.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc)  
Grundproduktnummer STD4N62  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STD4N62K3

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Diskretes Halbleiterprodukt

Einzeltransistor -FET, MOSFET

Produktfunktionen und Leistung

ROHS3 -konform

Supermesh3 -Serie

N-Kanal-Mosfet

Oberflächenmontageverpackung (DPAK)

Hochspannung (620 V Drain-Source-Spannung)

Niedrige On-Resistenz (1,95 Ω @ 1,9a, 10 V)

Hohe Stromfähigkeit (3,8a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C)

Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 150 ° C)

Niedrige Eingangskapazität (450pf @ 50V)

Hochleistungsdissipation (70W @ TC)

Produktvorteile

Effiziente Leistungsumwandlung mit geringen Verlusten

Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen

Kompakte Oberflächenmontagepaket

Robustes Design für zuverlässigen Betrieb

Wichtige technische Parameter

Drain-Source-Spannung (VDSS): 620 V

Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 1,95 Ω @ 1,9A, 10 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 3,8a @ 25 ° C

Eingangskapazität (CISS): 450pf @ 50V

Leistungsdissipation (PD): 70W @ TC

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Klebeband und Rollenverpackung

Kompatibilität

Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen mit hoher Spannung und Hochleistungsanwendungen

Anwendungsbereiche

Schaltmodus-Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

Industrielle Elektronik

Kfz -Elektronik

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produkt

Die Verfügbarkeit von Ersetzungen oder Upgrades kann variieren, wenden Sie sich an den Hersteller

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hochspannung und Stromfähigkeit

Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung

Kompaktes Oberflächenmontagepaket für platzbeschränkte Designs

Robuster und zuverlässiger Betrieb über einen weiten Temperaturbereich

Einhaltung der Branchenstandards (ROHS3)

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD4N62K3.

Produkteigenschaften STD4N62K3 2N4393UB/TR
Artikelnummer STD4N62K3 2N4393UB/TR
Hersteller STMicroelectronics Microchip Technology
Supplier Device-Gehäuse DPAK -
Verlustleistung (max) 70W (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc) -
FET-Merkmal - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 50 V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Serie SuperMESH3™ -
Vgs (Max) ±30V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Befestigungsart Surface Mount -
Typ FET N-Channel -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 1.9A, 10V -
Grundproduktnummer STD4N62 -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -

STD4N62K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STD4N62K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD4N62K3 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
ST(B,D)4N62K3.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf

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empfohlene Produkte

Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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  • Lea ***
    2024/06/19

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Europa Deutschland 5
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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