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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD4NK60ZT4
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STD4NK60ZT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD4NK60ZT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD4NK60ZT4
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Verpackung
DPAK
Datenblatt
1.STD4NK60ZT4.pdf ...

Datenblätter

STx4NK60Z(FP,-1).pdf

PCN -Design/Spezifikation

New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Steuer- und Lieferkosten sind im Preis nicht inbegriffen, detailliert findet man ihn auf der Sendungsseite
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Spezifikation

STD4NK60ZT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD4NK60ZT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD4NK60ZT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STD4NK60  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STD4NK60ZT4

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor

Produktfunktionen und Leistung

Hohe Breakdown -Spannung von 600 V

Niedrige On-Resistenz von 2 Ω

Kontinuierlicher Abflussstrom von 4a bei 25 ° C

In der Lage, eine Hochleistungsdissipation von bis zu 70 W umzugehen

Schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Gate -Ladung

Produktvorteile

Ausgezeichnete Leistungseffizienz

Zuverlässiges und robustes Design

Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 2ω @ 2a, 10 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 4a @ 25 ° C

Eingangskapazität (CISS): 510PF @ 25V

Leistungsdissipation (TC): 70W

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Zuverlässige MOSFET -Technologie

Kompatibilität

Oberflächenmontagepaket (DPAK)

Kompatibel mit Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen

Anwendungsbereiche

Stromversorgungsversorgung

Motor fährt

Industrielle Automatisierungsausrüstung

Beleuchtungssteuerung

Telekommunikationsgeräte

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produkt, kein Absetzen geplant

Ersatz- oder Upgrade -Teile beim Hersteller erhältlich

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hohe Effizienz- und Leistungshandhabungsfähigkeit

Robustes und zuverlässiges Design

Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen mit Hochspannungsanwendungen

Verfügbarkeit von Ersatz- und Upgrade von Teilen des Herstellers

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD4NK60ZT4.

Produkteigenschaften STD4NK60ZT4 STD4NK80Z-1 STD4NK80ZT4 STD4NK60Z-1
Artikelnummer STD4NK60ZT4 STD4NK80Z-1 STD4NK80ZT4 STD4NK60Z-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 4A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 800 V 800 V 600 V
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse DPAK TO-251 (IPAK) DPAK I-PAK
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STD4NK60 STD4NK80 STD4NK80 STD4NK60
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 80W (Tc) 80W (Tc) 70W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V

STD4NK60ZT4 Datenblatt PDF

Laden Sie STD4NK60ZT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD4NK60ZT4 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx4NK60Z(FP,-1).pdf
PCN -Design/Spezifikation
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

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Japan 4
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