Hersteller Teilnummer
STD8N60DM2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet im DPAK-Paket
Produktfunktionen und Leistung
600 -V -Bruchspannung
8a kontinuierlicher Abflussstrom
600 mΩ On-Resistenz
85W Stromversorgung
Niedrige Eingangs- und Rückübertragungskapazität
Schnelle Schaltfähigkeit
Produktvorteile
Robustes und zuverlässiges Design
Effiziente Leistungsumwandlung
Kompaktes und platzsparendes Paket
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 600 mΩ
Drainstrom (ID): 8a
Eingangskapazität (CISS): 375PF
Leistungsdissipation (PTOT): 85W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
DPAK -Paket für eine verbesserte thermische Leistung
Entwickelt für hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und nicht in der Nähe von Absetzen
Austausch- oder Upgrade -Optionen sind beim Hersteller erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hoher Effizienz und niedriger Stromverlust
Kompaktes und thermisch effizientes Paket
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Ausgezeichnete Schaltleistung und Ladung mit niedriger Gate
Breite Spannungs- und Stromfähigkeiten
STD8N10L MOSSTMicroelectronics