Hersteller Teilnummer
STD95N3llH6
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
30 V Drain-Source-Spannung
80a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
2m Ω Maximale On-Resistenz
2200PF Maximale Eingangskapazität
70W maximale Leistung Dissipation
5 V Maximale Gate -Schwellenspannung
Geeignet für hochstromige Stromumrechnungsanwendungen mit hoher Effizienz
Produktvorteile
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Hochstromabrechnungsfähigkeit
Hochfrequenzwechselleistung
Kompaktes Dpak-Oberflächenmontagepaket
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 30V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 4,2 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 80A
Eingangskapazität (CISS): 2200PF
Leistungsdissipation (TC): 70W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für den Hochtemperaturbetrieb bis zu 175 ° C
Kompatibilität
Geeignet für hochstromige Stromumrechnungsanwendungen mit hoher Effizienz
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Kfz -Elektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, nicht kurz vor Abbruch
Ersatz und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hoher Stromhandhabung und Effizienz
Kompaktes Oberflächenmontagepaket
Geeignet für den Hochtemperaturbetrieb
ROHS -Einhaltung der Umweltverantwortung
STD95-16SIRECTIFIEIGBT Module
STD93003STMicroelectronics