Hersteller Teilnummer
STD9NM40N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Drain-Source-Spannung bis zu 400 V
Niedrige On-Resistenz von 790 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom von 5,6a bei 25 ° C
Eingabekapazität von 365PF
Leistungsdissipation von 60 W
Produktvorteile
Hervorragende Effizienz und Leistungsdichte
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Robustes und zuverlässiges Design
Wichtige technische Parameter
MOSFET -Technologie
N-Kanal-Verbesserungsmodus
VDSS: 400 V
VGS (max): ± 25 V
RDS (ON) (max): 790 mΩ
Id (cont): 5.6a
Ciss (max): 365Pf
PD (max): 60W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für harte Umgebungen
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von elektronischen Leistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile ausgeschaltetem Modus (SMPS)
Motor fährt
Power Wechselrichter
Industrie- und Haushaltsgeräte
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatz und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Fähigkeit zur Krafthandhabung
Branchenführende Niedrige vor Ort
Zuverlässiges und robustes Design
Geeignet für Hochleistungsleistungselektronikanwendungen
STDC1150XXBCEA3CONEXANT
STD9NM60N-1STMicroelectronics