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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTE110NS20FD
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STE110NS20FD - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STE110NS20FD
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STE110NS20FD
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Verpackung
ISOTOP®
Datenblatt
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Datenblätter

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ROHS3 -konform
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Spezifikation

STE110NS20FD Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STE110NS20FD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STE110NS20FD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie MESH OVERLAY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOTOP  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 504 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)  
Grundproduktnummer STE1  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STE110NS20FD

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Diskretes Halbleiterprodukt

Einzeltransistor -FET, MOSFET

Produktfunktionen und Leistung

N-Kanal-Mosfet

200-V-Drain-Source-Spannung (VDSS)

110a kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bei 25 ° C

24m Ω Ein-Zustandswiderstand (RDS (ON)) bei 50a, 10 V

500 -W -Leistungsdissipation bei 25 ° C

7900PF -Eingangskapazität (CISS) bei 25 V

Betriebstemperatur bis zu 150 ° C

Produktvorteile

Hochstromabrechnungsfähigkeit

Niedriger Widerstand im Zustand

Hochleistungsdissipation

Geeignet für Hochspannungsanwendungen mit hoher Stromanwendungen

Wichtige technische Parameter

Drain-Source-Spannung (VDSS): 200 V

Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V

Widerstand auf dem Staat (RDS (ON)): 24mΩ

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 110a

Eingangskapazität (CISS): 7900PF

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Isotop -Paket für eine effiziente Wärmeabteilung

Kompatibilität

Kann in einer Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen und Motorsteuerungsanwendungen verwendet werden

Anwendungsbereiche

Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

Regulierungsbehörden wechseln

Industrie- und Automobilelektronik

Produktlebenszyklus

Aktuelle Produktion, keine Pläne für den Absetzen

Ersatz und Upgrades bei STMICROELECTRONICS erhältlich

Hauptgründe zur Auswahl

Hochstrom- und Leistungshandhabungsfähigkeiten

Niedriger Widerstand im Zustand gegen effiziente Leistung

Breiter Betriebstemperaturbereich

Robustes und zuverlässiges Isotop -Paket

Einhaltung der ROHS3 -Vorschriften

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STE110NS20FD.

Produkteigenschaften STE110NS20FD STE139N65M5 STE115D10-Z STE110-50T1KI
Artikelnummer STE110NS20FD STE139N65M5 STE115D10-Z STE110-50T1KI
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics Nidec Components Corporation Vishay Sprague
Serie MESH OVERLAY™ MDmesh™ STE SuperTan®, Extended STE
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -15°C ~ 70°C -55°C ~ 125°C
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc) 130A (Tc) - -
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 650 V - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Verpackung / Gehäuse ISOTOP ISOTOP - Axial, Can
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® ISOTOP - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 504 nC @ 10 V 363 nC @ 10 V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V 15600 pF @ 100 V - -
Grundproduktnummer STE1 STE1 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 10V 17mOhm @ 65A, 10V - -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 672W (Tc) - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (Max) ±20V ±25V - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA - -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Panel Mount Through Hole

STE110NS20FD Datenblatt PDF

Laden Sie STE110NS20FD PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STE110NS20FD - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STE110NS20FD.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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