Hersteller Teilnummer
STE48NM60
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
650 V Drain-Source-Spannung
110 MOHM On-Resistenz
48a kontinuierlicher Abflussstrom
450W Stromversorgung
Schnelle Schaltleistung
Produktvorteile
Hochspannung und Stromfähigkeit
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 110 MOHM
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 48a
Leistungsdissipation: 450W
Eingangskapazität (CISS): 3800PF
Gate Ladung (QG): 134nc
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS nicht konform
Für hohe Zuverlässigkeit und Sicherheit entwickelt
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgungen
Motor fährt
Wechselrichter
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist ein etablierter Teil und derzeit verfügbar.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Robustes und zuverlässiges Design
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen
STE53N50STMicroelectronicsIGBT Module
STE45NM50IGBT Module
STE470-75T3KIVishay SpragueCAP TANT 470UF 10% 75V AXIAL