- Jess***Jones
- 2026/04/17
PCN -Baugruppe/Herkunft
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.283 | $2.28 |
| 200+ | $0.884 | $176.80 |
| 500+ | $0.853 | $426.50 |
| 1000+ | $0.838 | $838.00 |
STF10NM60ND Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF10NM60ND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF10NM60ND
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FP | |
| Serie | FDmesh™ II | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 25W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 50 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | STF10 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF10NM60ND.
| Produkteigenschaften | ![]() |
|
|---|---|---|
| Artikelnummer | STF10NM60ND | 1060-16-0677 |
| Hersteller | STMicroelectronics | TE Connectivity Deutsch Connectors |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4A, 10V | - |
| Vgs (Max) | ±25V | - |
| FET-Merkmal | - | - |
| Paket | Tube | Box |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 50 V | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FP | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Serie | FDmesh™ II | - |
| Befestigungsart | Through Hole | - |
| Verlustleistung (max) | 25W (Tc) | - |
| Typ FET | N-Channel | - |
| Grundproduktnummer | STF10 | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | - |
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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