Hersteller Teilnummer
STF11N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET
Entwickelt für Hochspannungsanwendungen mit Hochfrequenzschaltanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Arbeitet bei hohen Temperaturen bis zu 150 ° C.
Niedrige On-Resistenz (480 MΩ) für hohe Effizienz
Niedrige Gate -Ladung (17 NC) für schnelles Schalten
Hochdrainer-Source-Spannung bis zu 650 V.
Hoher kontinuierlicher Abflussstrom bis zu 9 a
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische Leistung
Effiziente Leistungsumwandlung
Schnelles und zuverlässiges Umschalten
Breiter Betriebsspannungsbereich
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 650 V.
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
Aufämter (RDS (ON)): 480 MΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 9 a
Eingangskapazität (CISS): 644 PF
Leistungsdissipation (TC): 25 W.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entwickelt auf qualitativ hochwertige Standards
Kompatibilität
To-220-3 Paket
Kompatibel mit verschiedenen Hochspannungsanwendungen mit hoher Frequenz
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Industrieautomatisierung
Beleuchtungssteuerung
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar und nicht kurz vor dem Absetzen
Austausch- oder Upgrade -Optionen können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete thermische Leistung und Hochleistungshandhabung
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringem Auftragsresistenz
Schneller und zuverlässiger Umschalten mit niedriger Gate -Ladung
Breiter Betriebsspannungsbereich für vielseitige Anwendungen
Hochwertige und Sicherheitsmerkmale für zuverlässigen Betrieb
STF11N50M2 11N50M2STMicroelectronics