- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
STB,D,F,P18N55M5.pdfPCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdfPCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdfWillst du einen besseren Preis?
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.411 | $3.41 |
| 200+ | $1.361 | $272.20 |
| 500+ | $1.317 | $658.50 |
| 1000+ | $1.294 | $1,294.00 |
STF18N55M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF18N55M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF18N55M5
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh™ V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192mOhm @ 8A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 25W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 100 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 550 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | STF18 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF18N55M5.
| Produkteigenschaften | ||
|---|---|---|
| Artikelnummer | STF18N55M5 | 2N4403TFR |
| Hersteller | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor |
| Grundproduktnummer | STF18 | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FP | TO-92-3 |
| Verlustleistung (max) | 25W (Tc) | - |
| Serie | MDmesh™ V | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | - |
| Typ FET | N-Channel | - |
| Vgs (Max) | ±25V | - |
| Befestigungsart | Through Hole | Through Hole |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 550 V | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192mOhm @ 8A, 10V | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - |
| FET-Merkmal | - | - |
| Paket | Tube | Bulk |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 100 V | - |
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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