Hersteller Teilnummer
STF24N60DM2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor mit FDMESH II Plus-Technologie für Industrie- und Verbraucheranwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
600 V Drain-to-Source-Spannung
Niedriges On-Resistenz (200 mΩ)
Hohe Stromfähigkeit (18A kontinuierlicher Abflussstrom)
Niedrige Eingangskapazität (1055PF)
Geeignet für Hochfrequenzschaltanwendungen
Ausgezeichnete thermische Leistung (30W Stromversorgung)
Produktvorteile
Überlegene Switching -Leistung
Hohe Effizienz
Zuverlässiges und robustes Design
Kompaktes To-220-Paket
Wichtige technische Parameter
VDSS: 600 V
VGS (max): ± 25 V
RDS (ON): 200 mΩ
ID: 18A
CISS: 1055PF
PD: 30W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässigkeit und Qualität der Industriequalität
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen für die Elektronik und Elektronik der Verbraucher.
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Leistungsfaktorkorrekturschaltungen
Beleuchtungsballasts
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist eine aktive und weit verbreitete MOSFET -Lösung.Austausch und Upgrades sind bei STMICROELECRECTRONICS leicht erhältlich.
Hauptgründe zur Auswahl
Hohe Leistung und Effizienz
Zuverlässiges und robustes Design
Kompakt und einfach zu integrieren
Breite Anwendungseignung
Ausgezeichnetes thermisches Management
Laufende Produktunterstützung und Verfügbarkeit
STF2455SAMHOP
STF24NF12STMicroelectronics