Hersteller Teilnummer
STF28N60DM2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Ultra-niedriger On-Resistenz (RDS (ON)) für hohe Effizienz
Robustes und zuverlässiges Design
Sehr niedrige Gate -Ladung (QG) zum schnellen Schalter
Ausgezeichnete Wärmemanagementfähigkeit
Hochdrainer-Source-Breakdown-Spannung (VDSS)
Produktvorteile
Verbesserte Energieeffizienz
Reduzierte Stromverluste
Schnelle Schaltfähigkeit
Zuverlässiger Betrieb in Hochtemperaturumgebungen
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS (max)): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 160 mΩ @ 10,5A, 10V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 21a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 1500PF @ 100V
Leistungsdissipation (PTOT): 30W @ TC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Einhaltung der Richtlinie der ROHS3
Robustes TO-220FP-Paketdesign
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Stromverstärker umschalten
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine Pläne für die Absetzen
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Energieeffizienz und niedrige Stromverluste
Schnelle Schaltfähigkeit für hochfrequente Anwendungen
Zuverlässiger Betrieb in Hochtemperaturumgebungen
Robustes und zuverlässiges Design für den langfristigen Gebrauch
Einhaltung der Richtlinie der ROHS3 für ökologische Nachhaltigkeit
STF2E1-53Carling TechnologiesSWITCH TOGGLE
STF26NM60N MOSSTMicroelectronics