Hersteller Teilnummer
STF5NK52ZD
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit Supermesh-Technologie, geeignet für eine breite Palette von Stromumrechnungs- und Steuerungsanwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
Hochspannungsfähigkeit (520 V)
Niedrige On-Resistenz (1,5 Ω max @ 2,2a, 10 V)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 150 ° C)
Robustes Gate-Source-Spannungshandhabung (± 30 V)
Produktvorteile
Verbesserte Energieeffizienz aufgrund von geringer Aufteilung
Zuverlässige und langlebige Leistung über weite Temperaturbereiche
Vielseitige Anwendung in verschiedenen Leistungselektronik -Designs
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 520 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 1,5 Ω max @ 2,2a, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 4,4a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 529PF max @ 25V
Leistungsdissipation (PD): 25W Max @ TC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für harte Umgebungen mit weitem Temperaturbereich
Kompatibilität
Durchleitungsmontage mit TO-220FP-Paket
Anwendungsbereiche
Leistungskonvertierung und Steuerungsanwendungen
Motor fährt
Schaltmodus-Netzteile
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Ersatz und Upgrades im Rahmen des MOSFET -Produktportfolios von STMICROELECRICRICS erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnetes Verhältnis von Leistung zu Kosten
Robuster und zuverlässiger Betrieb über weite Temperaturbereiche
Einfache Integration in die Strome -Elektronikdesigns
Teil einer umfassenden MOSFET -Produktlinie eines seriösen Herstellers

STF6A60SEMIWELL