Hersteller Teilnummer
STF7N90K5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannung mit Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet
Geeignet für Hochfrequenz- und hocheffiziente Stromumrechnungsanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Drain-to-Source-Spannung (VDSS) von 900 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) von 7a bei 25 ° C
Niedrige On-Resistenz (RDS (ON)) von 1,5 Ω bei 10-V-Torantrieb
Schnelles und weiches Schalten
Niedrige Gate-Ladung (QG) für den Hochfrequenzbetrieb
Produktvorteile
Ausgezeichnete Effizienz der Energieumwandlung
Reduzierte Leistungsabteilung und verbesserte thermische Leistung
Ermöglicht kompaktere und leichte Netzteilschützer
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 900 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenance (RDS (ON)): 1,5 Ω bei 10-V-Torantrieb
Durchgangsabflussstrom (ID): 7a bei 25 ° C
Leistungsdissipation (PD): 25W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
ESD -Schutz
Verstärkte Isolierung
Kompatibilität
Geeignet für Hochfrequenz- und hocheffiziente Stromumrechnungsanwendungen
Kann in verschiedenen Strome -Elektronik -Designs wie AC/DC -Konverter, DC/DC -Konverter und Motorantrieben verwendet werden
Anwendungsbereiche
Netzteile ausgeschaltetem Modus (SMPS)
Induktionsheizung
Schweißausrüstung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Industriemotorfahrten
Produktlebenszyklus
Aktives Produkt
Keine sofortigen Absachenpläne
Verfügbarkeit von Ersatz und Upgrades durch den Hersteller
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hochspannungs- und Stromfähigkeiten für eine effiziente Leistungsumwandlung
Niedrige On-Resistenz bei reduzierter Leistung und verbesserte thermische Leistung
Schneller und weicher Schalter für den Hochfrequenzbetrieb
Kompaktes und leichtes Design, das durch die effiziente Leistungsumwandlung aktiviert ist
Einhaltung von ROHS3 und anderen Sicherheitsstandards
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen
STF7N52K3 MOSSTMicroelectronics