Hersteller Teilnummer
STGD18N40LZT4
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
IGBT (isoliertes Gate Bipolar Transistor) Power Semiconductor -Gerät
Produktfunktionen und Leistung
400 V, 25A IGBT mit integrierter anti-paralleler Diode
Entwickelt für Automobil- und Industrieanwendungen
Optimiert für die Umschaltung der Leistung und Effizienz
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Produktvorteile
Robustes und zuverlässiges Design
Verbessertes thermisches Management
Kompaktes und platzsparendes Paket
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Spannung: 420 V
Sammlerstrom: 25a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 1,7 V @ 4,5 V, 10a
Torladung: 29nc
Schaltzeiten: 650 ns (Einschalten), 13,5 μs (Ausschalten)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Automobilsysteme (z. B. elektrische Servolenkung, elektrische Bremsen, Hybrid-/Elektrofahrzeuge)
Industriemotorfahrten
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Schaltmodus-Netzteile
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und erhältlich
Austausch- oder Upgrade -Optionen können in Zukunft beim Hersteller erhältlich sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Optimiert für hohe Effizienz und Leistung in der Stromumwandlung und bei motorischen Steuerungsanwendungen
Robustes und zuverlässiges Design, das für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen geeignet ist
Das kompakte DPAK -Paket vereinfacht das Layout und die Integration des Boards und Integration
AEC-Q101-Qualifikation sorgt für Qualität und Zuverlässigkeit von Automobilqualität