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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelSTGD6M65DF2
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STGD6M65DF2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STGD6M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STGD6M65DF2
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Verpackung
DPAK
Datenblatt
1.STGD6M65DF2.pdf ...

PCN -Design/Spezifikation

New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STGD6M65DF2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STGD6M65DF2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STGD6M65DF2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A  
Testbedingung 400V, 6A, 22Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/90ns  
Schaltenergie 36µJ (on), 200µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie M  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 140 ns  
Leistung - max 88 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Gate-Ladung 21.2 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 24 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 12 A  
Grundproduktnummer STGD6  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STGD6M65DF2

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Dies ist ein diskretes Halbleitergerät, insbesondere ein einzelner isolierter Bipolartransistor (IGBT) in einem DPAK -Paket.

Produktfunktionen und Leistung

Grabenfield Stop IGBT -Technologie

650 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung

12A -Sammlerstrom (max)

2V-Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (max) bei 15-V-Gate-Emitter-Spannung, 6A-Kollektorstrom

140ns Reverse Recovery -Zeit

2nc Gate -Gebühr

24A gepulster Sammlerstrom

36J Turn-On-Schaltergie, 200-J-Ausschalten der Schaltergie

15ns Schaltverzögerungszeit, 90 ns Abbaus Verzögerungszeit bei 25 ° C

Produktvorteile

Grabenfeld -Stop -IGBT -Technologie für verbesserte Effizienz und Robustheit

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C

Hochleistungshandhabungsfähigkeit bis zu 88W

Oberflächenhalterung DPAK -Paket für kompaktes Design

Wichtige technische Parameter

Spannungsbewertung: 650 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung

Aktuelle Bewertung: 12A -Sammlerstrom (max)

Schaltmerkmale: 140ns Reverse-Wiederherstellungszeit, 36J Turn-On-Schaltergie, 200-jähres Schaltungsschalterenergie

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Klebeband und Rollenverpackung für die automatisierte Montage

Kompatibilität

Das DPAK -Paket ist ein gemeinsames Halbleiterpaket für Oberflächenmontage -Power

Anwendungsbereiche

Geeignet für den Einsatz in verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungsanwendungen, wie z. B. Wechselrichter, Wandler und Laufwerke

Produktlebenszyklus

Dieses Produkt ist ein aktives und weit verbreitetes IGBT -Gerät, ohne dass ein Absetzen oder der bevorstehende Austausch angezeigt werden.

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Grabenfield -Stop -IGBT -Technologie für hohe Effizienz und Zuverlässigkeit

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C für vielseitige Anwendungen

Hochleistungsbeschäftigte Fähigkeit bis zu 88 W für anspruchsvolle Stromumrechnungsbedürfnisse

Kompaktes DPAK-Oberflächenmontagepaket für platzbeschränkte Designs

Robuste Schalteigenschaften mit niedrigen Schaltverlusten und schnellen Schaltzeiten

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STGD6M65DF2.

Produkteigenschaften STGD6M65DF2 MMPF0100F2AEPR2
Artikelnummer STGD6M65DF2 MMPF0100F2AEPR2
Hersteller STMicroelectronics NXP USA Inc.
Supplier Device-Gehäuse DPAK 56-HVQFN (8x8)
Strom - Collector Pulsed (Icm) 24 A -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 56-VFQFN Exposed Pad
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount
Schaltenergie 36µJ (on), 200µJ (off) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/90ns -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 12 A -
Gate-Ladung 21.2 nC -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 85°C (TA)
Testbedingung 400V, 6A, 22Ohm, 15V -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 140 ns -
IGBT-Typ Trench Field Stop -
Leistung - max 88 W -
Grundproduktnummer STGD6 MMPF0100
Eingabetyp Standard -
Serie M -

STGD6M65DF2 Datenblatt PDF

Laden Sie STGD6M65DF2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STGD6M65DF2 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STGD6M65DF2 Datasheet.pdf
PCN -Design/Spezifikation
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
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  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

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Japan 4
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