Hersteller Teilnummer
STGFW40V60DF
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannung, IGBT mit hohem Strom (isolierter Gate Bipolar Transistor) Gerät
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Spannungsbewertung bis zu 600 V
Aktuelle Bewertung bis zu 80A
Niedriger Spannungsabfall im Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Schaltverluste
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 175 ° C)
Produktvorteile
Hervorragende Leistung für Hochleistungsschaltanwendungen
Zuverlässiges und robustes Design
Geeignet für harte Umgebungen
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (MAX): 600V
Sammlerstrom (max): 80a
Spannungsabfall auf dem Zustand (max): 2,3 V @ 15V, 40a
Reverse -Wiederherstellungszeit: 41Ns
Torladung: 226nc
Energieschaltung: 456 μj (Ein), 411 μj (aus)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für sicherheitskritische Anwendungen
Kompatibilität
Kann als Ersatz oder Upgrade für ähnliche IGBT -Geräte verwendet werden
Anwendungsbereiche
Hochleistungsschaltanwendungen wie Motorantriebe, Wechselrichter und Netzteile
Industrieausrüstung
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Keine Pläne für die Absetzen
Bei Bedarf verfügbare Ersatzoptionen zur Verfügung
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hohe Leistung und Zuverlässigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich
Schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Schaltverluste
Geeignet für harte Umgebungen und sicherheitskritische Anwendungen
Verfügbarkeit von Ersatzoptionen

STGIB10CH60TSSTM