Hersteller Teilnummer
STGP10M65DF2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor IGBT (bipolarer Gate -Transistor)
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT
650 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
20A -Sammlerstrom
2V Collector-Emitter-Sättigungsspannung @ 15V Gate, 10A-Kollektor
96ns Reverse Recovery -Zeit
28nc Gate Ladung
40A gepulster Sammlerstrom
120 & mgr; J Einschalten, 270 μJ Ausschalten der Schaltergie
Produktvorteile
Optimiert für hocheffiziente und hochfrequente Schaltanwendungen
Ausgezeichnete Leitung und Schaltleistung
Kompaktes To-220-Paket
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 650 V
Stromsammler (IC) (max): 20a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2V @ 15V, 10a
Reverse Recovery Time (TRR): 96Ns
Torladung: 28nc
Stromkollektor gepulst (ICM): 40a
Energiewechsel: 120 & mgr ;j (Ein), 270 μj (aus)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 175 ° C
Kompatibilität
Durch Lochmontage (bis-220-Paket)
Anwendungsbereiche
Hocheffiziente und hochfrequente Schaltanwendungen
Netzteile, Motorantriebe, Induktionsheizung und andere industrielle Anwendungen
Produktlebenszyklus
Dies ist ein aktives Produkt ohne Hinweis auf Absetzen
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leitung und Schaltleistung für den hohen Effizienzbetrieb
Kompakt und zuverlässig zu-220-Paket
Breiter Betriebstemperaturbereich
ROHS3 Compliance für die Umweltsicherheit
STGIPS25K60L1STMicroelectronicsIGBT Module