Hersteller Teilnummer
STGW60H65DFB
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
IGBT (isoliertes Gate Bipolar Transistor) Power Semiconductor -Gerät
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
650 V bewertete Sammler-Emitter-Spannung
80A Maximaler Sammlerstrom
375W Maximale Leistung
Niedriger VCE (auf) von 2V @ 15V, 60a
Schnelle Rückgewinnung von 60 ns
Torladung von 306nc
Hochstromabrechnungsfähigkeit von 240A gepulstem Sammlerstrom
Produktvorteile
Effiziente Leistungsschaltung
Hochleistungsdichte
Schnelle Schaltleistung
Robust und zuverlässig
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 650 V
Stromsammler (IC) (max): 80A
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (TRR): 60 ns
Torladung: 306nc
Stromkollektor gepulst (ICM): 240a
Energie umschalten: 1,09 mJ (Ein), 626J (aus)
TD (Ein/Aus) bei 25 ° C: 51NS/160NS
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-247-Paket für ein effizientes thermisches Management
Kompatibilität
Durchläufungsmontage
Anwendungsbereiche
Leistungsumwandlungssysteme
Motor fährt
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Haushaltsgeräte
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktangebot
Austausch und Upgrades können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Effizientes und leistungsstarkes IGBT-Design
Robuster und zuverlässiger Betrieb
Breites Spektrum an Strom- und aktuellen Handhabungsfähigkeiten
Schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Schaltverluste
Kompatibilität mit verschiedenen Leistungselektronikanwendungen
