Hersteller Teilnummer
STGWA30M65DF2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-IGBT-Transistor für industrielle Anwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Hochleistungsdichte und Effizienz
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Schnelle Schaltfähigkeit
Hohe Blockierungsspannung bis zu 650 V
Sammlerstrom bis zu 60A
Produktvorteile
Ausgezeichnete elektrische Leistung
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Geeignet für Hochfrequenzschaltanwendungen
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 650 V
Sammlerstrom (max): 60a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 2V @ 15V, 30a
Reverse -Wiederherstellungszeit: 140ns
Torladung: 80NC
Sammlerstrom gepulst: 120a
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entwickelt für hochverträgliche industrielle Anwendungen
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen industriellen Kontrollsystemen und Strome -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Wechselrichter
Konverter
Motor fährt
Netzteile
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und wird vom Hersteller aktiv unterstützt.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungsdichte und Effizienz
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Schnelle Schaltfähigkeit für hochfrequente Anwendungen
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Geeignet für eine breite Palette von industriellen Anwendungen
