Hersteller Teilnummer
STGWA75H65DFB2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor IGBT
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT
650 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
115A -Sammlerstrom (max)
2V Collector-Emitter-Sättigungsspannung @ 15V, 75A
88NS Reverse Recovery -Zeit
207nc Gate Ladung
225A gepulster Sammlerstrom
428MJ Schaltungsenergie, 1,05MJ-Abbausschaltergie
28ns Turn-On-Verzögerung, 100NS-Ausschaltverzögerung
Produktvorteile
Hochleistungsdichte
Schnelles Umschalten
Niedrige Leitungsverluste
Wichtige technische Parameter
To-247-3 Paket
-55 ° C bis 175 ° C Betriebstemperaturbereich
357W Maximale Leistung
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Kompatibel mit Standard -IGBT -Gate -Antriebsschaltungen
Anwendungsbereiche
Leistungsumwandlung
Motor fährt
Erneuerbare Energiesysteme
Industrieausrüstung
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine Abbruch- oder Ersatzpläne angekündigt
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Schnelle Schaltleistung
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Nachgewiesene Zuverlässigkeit in industriellen Anwendungen
Kompatibilität mit Standard -IGBT -Gate -Antriebskreisen
