Hersteller Teilnummer
STGWT80H65DFB
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs -IGBT -Transistor für industrielle Anwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Hohe Stromfähigkeit bis zu 120A
Niedriger Spannungsabfall im Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hochleistungsdichte
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung
Reduzierte Stromverluste
Kompaktes Design
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 650 V
Stromsammler (IC) (max): 120a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (TRR): 85 ns
Torladung: 414nc
Stromkollektor gepulst (ICM): 240a
Energieschwerbesenkung: 2,1 mj (Ein), 1,5mj (aus)
TD (Ein/Aus) bei 25 ° C: 84ns/280ns
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Betriebstemperatur: -55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Durch Lochmontage
Kompatibilität
TO-3P-Paket
Anwendungsbereiche
Industriemotorfahrten
Schweißausrüstung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Induktionsheizung
Servo fährt
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell, keine Absetzung geplant
Ersatzmodelle bei Bedarf verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringen Verlusten
Schnelle Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen
Kompaktes und robustes Design für industrielle Umgebungen
Nachgewiesene Zuverlässigkeit und Qualität von STMICROELECTRONICS
