Hersteller Teilnummer
STH130N10F3-2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit geringem Aufnahmebereich und schneller Schaltgeschwindigkeit, geeignet für verschiedene Leistungsumwandlungsanwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
Robustes und zuverlässiges Design mit geringem Aufenthalt
Optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen
Schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Gate -Ladung für eine verbesserte Effizienz
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C
Hohe Lawinenenergiefähigkeiten
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische Leistungs- und Leistungshandhabungsfähigkeit
Reduzierte Leitungs- und Schaltverluste für eine höhere Systemeffizienz
Geeignet für hochfrequente, hohe Stromumrechnungsanwendungen, die Stromversorgungsanwendungen
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Umgebungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 100 V
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 9,3 mΩ @ 60A, 10V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 120a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 3305PF @ 25V
Leistungsdissipation (TC): 250W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Robustes H2PAK-2-Paket für hohe Leistung und Zuverlässigkeit
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von elektronischen Leistungsanwendungen
Geeignet für den Einsatz in verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Steuerungssystemen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter und Konverter
Leistungsfaktorkorrekturschaltungen
Industrieautomatisierung und Steuerungssysteme
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell, nicht kurz vor dem Absetzen
Ersatz- und Upgrade -Optionen bei STMICROELECTRONICS erhältlich
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Außergewöhnliche Leistung und Effizienz aufgrund eines geringen Anteils und der schnellen Umstellung
Robustes und zuverlässiges Design, das für anspruchsvolle Anwendungen geeignet ist
Breitem Betriebstemperaturbereich und Leistungsfähigkeit mit hoher Leistung
Nachgewiesene Erfolgsbilanz und Unterstützung eines führenden Halbleiterherstellers
Verfügbarkeit von Ersatz- und Upgrade -Optionen für zukünftige Designanforderungen

STH12N120K5-2AG