Hersteller Teilnummer
STH150N10F7-2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannungsstufe mit hohem Nanal-Nanal-Leistungs-MOSFET in H2PAK-2-Paket
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen
Niedriger Widerstand im Zustand und schnelles Umschalten
Stützt eine hohe Drain-Source-Spannung bis zu 100 V.
Durchgangsabflussstrom bis zu 110a bei 25 ° C
Niedrige Gate-Ladung für den Hochfrequenzbetrieb
Arbeitet über einen weiten Temperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C
Produktvorteile
Ausgezeichnete Fähigkeit zur Krafthandhabung
Effiziente Leistungsumwandlung
Zuverlässiger Hochtemperaturbetrieb
Kompaktes Oberflächenmontagepaket
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 100 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
Widerstand auf dem Zustand (RDS (ON)): 3,9mΩ @ 55A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 110a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 8115PF @ 50V
Leistungsdissipation (TC): 250W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von Leistungselektronik- und Motorsteuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Hochleistungs-Hochleistungsanwendungen mit hoher Frequenzwechsel
Spannungsaufsichtsbehörden, Motorantriebe und Netzteile
Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in Produktion und nähert sich nicht dem Abbruch
Austausch- oder Upgrade -Optionen können beim Hersteller erhältlich sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichneter Stromverhandlung und Effizienz
Schneller Schalt- und Hochfrequenzbetrieb
Breiter Temperaturbereich für zuverlässige Leistung
Kompakte und räumlich sparende Oberflächenmontagepaket
ROHS Compliance und Qualität der Automobilqualität

STH143004.1STH