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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTH245N75F3-6
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STH245N75F3-6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STH245N75F3-6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STH245N75F3-6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
STH245N75F3-6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5000

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Spezifikation

STH245N75F3-6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STH245N75F3-6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STH245N75F3-6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse H2PAK-6  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer STH245  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STH245N75F3-6.

Produkteigenschaften STH245N75F3-6 STH240N75F3-2 STH210N75F6-2 STH240N10F7-2
Artikelnummer STH245N75F3-6 STH240N75F3-2 STH210N75F6-2 STH240N10F7-2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer STH245 STH240 STH210 STH240
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 11800 pF @ 25 V 11550 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 STripFET™ III DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse H2PAK-6 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 75 V 75 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 171 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 90A, 10V 3mOhm @ 90A, 10V 2.8mOhm @ 90A, 10V 2.5mOhm @ 60A, 10V

STH245N75F3-6 Datenblatt PDF

Laden Sie STH245N75F3-6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STH245N75F3-6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 09/Apr/2018.pdf
Datenblätter
STH245N75F3-6.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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