- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
STH400N4F6-2/6-6.pdfPCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 29/Nov/2017.pdfSTH400N4F6-6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STH400N4F6-6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STH400N4F6-6
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | H2PAK-6 | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 60A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 20500 pF @ 25 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 404 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | STH400 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STH400N4F6-6.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | STH400N4F6-2 | STH410N4F7-6AG | STH410N4F7-2AG | STH360N4F6-2 |
| Hersteller | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Betriebstemperatur | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Verlustleistung (max) | - | - | - | - |
| Typ FET | - | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Technologie | - | - | - | - |
| Paket | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Grundproduktnummer | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| VGS (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
Laden Sie STH400N4F6-6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STH400N4F6-6 - STMicroelectronics herunter.
STH36N60DM6ST/TESLA
STH3N150-2 MOSSTMicroelectronics
STH4986HQSTH
STH4388STH
STH36N60DM6-2AGSTMicroelectronics
STH410N4F7-2AGYSTMicroelectronics
STH4985HTSTH
STH4Altech CorporationHINGED STUD TERM M4 50A 600V 22-
STH400N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STH3N150STMicroelectronics
STH4988SQSTH
STH400N4F6-2 MOSSTMicroelectronics
STH360N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STH47N60DM6ST/TESLA
STH47N60DM6-2AGSTMicroelectronicsPOWER TRANSISTORSIhre E -Mail -Adresse wird nicht veröffentlicht.
| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
Willst du einen besseren Preis? Hinzufügen zu CART und Senden Sie jetzt RFQ , wir werden Sie sofort kontaktieren.