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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTH80N10F7-2
STH80N10F7-2 Image
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EXPRESSOPTION
Zahlungsmethode

STH80N10F7-2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STH80N10F7-2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STH80N10F7-2
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Verpackung
H2Pak-2
Datenblatt
1.STH80N10F7-2.pdf ...

PCN -Obsoleszenz/ EOL

Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

STripFET 21/Jul/2017.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3700
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30+ $0.714 $21.42
100+ $0.633 $63.30
500+ $0.598 $299.00
1000+ $0.581 $581.00
Steuer- und Lieferkosten sind im Preis nicht inbegriffen, detailliert findet man ihn auf der Sendungsseite
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Spezifikation

STH80N10F7-2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STH80N10F7-2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STH80N10F7-2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse H2Pak-2  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer STH80N  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STH80N10F7-2

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor

Produktfunktionen und Leistung

Arbeitet in einem weiten Temperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C

Niedriges On-Resistenz von 9,5 MOHM bei 40A, 10 V

Hoher kontinuierlicher Abflussstrom von 80A bei 25 ° C

Niedrige Eingangskapazität von 3100 PF bei 50 V

Maximale Leistung von 110 W bei TC

Produktvorteile

Ausgezeichnete thermische Leistung

Hochleistungsdichte

Effiziente Leistungsumwandlung

Zuverlässiger Betrieb

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 100 V

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 20 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 9,5 MOHM @ 40A, 10V

Abflussstrom (ID): 80A @ 25 ° C.

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Robustes H2PAK-2-Paket

Kompatibilität

Oberflächenmontagepaket (to-263-3, dpak)

Anwendungsbereiche

Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

Industrielle Elektronik

Produktlebenszyklus

Derzeit verfügbar

Keine Abnahme angekündigt

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Ausgezeichnete thermische Leistung und hohe Leistungsdichte

Effiziente Leistungsumwandlung mit geringem Auftragsresistenz

Zuverlässiger Betrieb in einem weiten Temperaturbereich

ROHS3 -konform und robustes Paket

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STH80N10F7-2.

Produkteigenschaften STH80N10F7-2 STH52N10LF3-2AG STH6N95K5-2 STH80N10LF7-2AG
Artikelnummer STH80N10F7-2 STH52N10LF3-2AG STH6N95K5-2 STH80N10LF7-2AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 950 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 18.5 nC @ 5 V 13 nC @ 10 V 28.3 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 100µA -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 40A, 10V 20mOhm @ 26A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 10mOhm @ 40A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 52A (Tc) 6A (Tc) 80A (Tc)
Grundproduktnummer STH80N STH52 STH6 STH80
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ F3 MDmesh™ K5 Automotive, AEC-Q101, STripFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 50 V 1900 pF @ 400 V 450 pF @ 100 V 2900 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2

STH80N10F7-2 Datenblatt PDF

Laden Sie STH80N10F7-2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STH80N10F7-2 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx80N10F7,STH80N10F7-2.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
STripFET 21/Jul/2017.pdf

Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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