Hersteller Teilnummer
STL50DN6F7
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren FETS, MOSFETS -Arrays
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
Powerflat (5x6) Paket
StripFet -Serie
2 N-Kanal-Konfiguration (Dual)
MOSFET (Metaloxid) -Technologie
Oberflächenhalterungstyp
Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 175 ° C (TJ)
Leistungsbewertung: 62,5W (max)
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 60 V
On-Resistenz (RDS eingeschaltet): 11MOHM @ 7.5A, 10V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 57A (TC)
Eingangskapazität (CISS): 1035PF @ 30V
Gate -Schwellenspannung (VGS (TH)): 4V @ 250A
Gate Ladung (QG): 17nc @ 10v
Produktvorteile
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Breiter Betriebstemperaturbereich
Kompaktes Powerflat-Paket für platzbeschränkte Designs
Wichtige technische Parameter
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 60 V
On-Resistenz (RDS an): 11MOHM
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 57a
Eingangskapazität (CISS): 1035PF
Gate -Schwellenspannung (VGS (TH)): 4V
Torladung (QG): 17nc
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Entwickelt für eine Vielzahl von Stromverwaltungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Leistungsmanagement
Motorkontrolle
Industrieautomatisierung
Kfz -Elektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, kein Hinweis auf Absetzen
Austausch und Upgrades können bei STMICROELECTRONICS erhältlich sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabung und effiziente Leistung
Breiter Betriebstemperaturbereich
Kompaktes und platzsparendes Powerflat-Paket
Bewährte StripFET -Technologie eines zuverlässigen Herstellers

