Hersteller Teilnummer
STL57N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannungs-N-Kanal-Leistungsmosfet im Powerflat (8x8) -Paket
Produktfunktionen und Leistung
650 V Drain-to-Source-Spannung
Niedrige On-Resistenz von 69 mΩ
Hoher kontinuierlicher Abflussstrom von 4,3A (TA) und 22,5A (TC)
Niedrige Eingangskapazität von 4200PF
Hochleistungsdissipation von 2,8 W (TA) und 189W (TC)
Schneller Schalten mit niedriger Gate -Ladung von 110 Nc
Produktvorteile
Ausgezeichnete Hochspannungsleistung
Hocheffiziente Leistungsumwandlung
Kompaktes und thermisch effizientes Paket
Robuster und zuverlässiger Betrieb
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 69 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 4,3a (TA), 22,5a (TC)
Eingangskapazität (CISS): 4200PF
Leistungsdissipation: 2,8 W (TA), 189W (TC)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für hochzuverständliche Anwendungen
Kompatibilität
Oberflächenmontagepaket (Powerflat 8x8 HV)
Kompatibel mit Standard -MOSFET -Treibern und Steuerungsschaltungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgungen
Motor fährt
Induktive Erwärmung
Industrie- und Haushaltsgeräte
Beleuchtungs- und LED -Treiber
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell
Ersatz- oder Upgrade -Optionen bei STMICROELECTRONICS erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Hochspannungsleistung und Effizienz
Kompaktes und thermisch effizientes Paket
Robuster und zuverlässiger Betrieb
Kompatibilität mit Standard -MOSFET -Treiber- und Steuerungsschaltungen
Geeignet für eine breite Palette von Stromumrechnungsanwendungen

STL60N3LLHVBSEMI