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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL62P3LLH6
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STL62P3LLH6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL62P3LLH6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL62P3LLH6
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
Verpackung
PowerFlat™ (5x6)
Datenblatt
1.STL62P3LLH6.pdf ...

Datenblätter

STL62P3LLH6.pdf

PCN -Obsoleszenz/ EOL

Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STL62P3LLH6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL62P3LLH6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL62P3LLH6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie STripFET™ H6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc)  
Grundproduktnummer STL62  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STL62P3LLH6

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen geeignet.

Produktfunktionen und Leistung

30 V Drain-Source-Spannung (VDSS)

5mΩ Maximal On-Resistenance (RDSON) bei 7a und 10-V-Gate-Source-Spannung

62A kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bei 25 ° C -Falltemperatur

100 W Maximale Leistungsdissipation bei 25 ° C -Falltemperatur

3350PF Maximale Eingangskapazität (CISS) bei 25-V-Drain-Source-Spannung

-55 ° C bis 175 ° C Betriebstemperaturbereich

Produktvorteile

Ausgezeichnete Leistungseffizienz aufgrund von geringer Aufteilung

Hochstromabrechnungsfähigkeit

Robustes Design für zuverlässigen Betrieb

Compact Powerflat (5x6) Paket

Wichtige technische Parameter

Drain-Source-Spannung (VDSS): 30V

Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V

Vor Ort (RDSON): 10,5 mΩ @ 7a, 10 V

Abflussstrom (ID): 62a @ 25 ° C.

Leistungsdissipation (PD): 100W @ 25 ° C.

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Getestet und für zuverlässigen Betrieb qualifiziert

Kompatibilität

Geeignet für hocheffiziente Leistungsumwandlungsanwendungen wie DC-DC-Wandler, Motorantriebe und Netzteile.

Anwendungsbereiche

Industriell

Automobil

Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Derzeit in Produktion

Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Ausgezeichnete Leistungseffizienz aufgrund von geringer Aufteilung

Hohe aktuelle Handhabungsfähigkeit für anspruchsvolle Anwendungen

Robustes Design und breiter Temperaturbereich für zuverlässigen Betrieb

Kompaktes Paket für platzbeschränkte Designs

ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL62P3LLH6.

Produkteigenschaften STL62P3LLH6 STL64N4F7AG STL66N3LLH5 STL65N3LLH5
Artikelnummer STL62P3LLH6 STL64N4F7AG STL66N3LLH5 STL65N3LLH5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V 637 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc) 64A (Tc) 80A (Tc) 65A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 9.8 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 100W (Tc) 65W (Tc) 72W (Tc) 60W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±22V ±22V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie STripFET™ H6 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V STripFET™ V
Betriebstemperatur 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 7A, 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V 5.8mOhm @ 10.5A, 10V 5.8mOhm @ 9.5A, 10V
Grundproduktnummer STL62 STL64 STL66 STL65
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

STL62P3LLH6 Datenblatt PDF

Laden Sie STL62P3LLH6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL62P3LLH6 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STL62P3LLH6.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Transfer 31/May/2018.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

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    2024/06/19

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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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