Hersteller Teilnummer
STO36N60M6
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal 600V-MOSFET im PowersFn8-Paket
Produktfunktionen und Leistung
600 -V -Bruchspannung
99mΩ Maximale On-Resistenz
30a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
1960PF Maximale Eingangskapazität
230W maximale Leistung Dissipation
Produktvorteile
Ausgezeichnetes Verhältnis von Leistung zu Kosten
Compact PowersFn8 -Paket
Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 99mΩ @ 15a, 10V
Abflussstrom (ID): 30a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 1960PF @ 100V
Stromversorgung (PD): 230 W @ 25 ° C.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Für hohe Zuverlässigkeit und Sicherheit entwickelt
Kompatibilität
Geeignet für die Verwendung in einer Vielzahl von Hochspannungsanwendungen mit Hochleistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Hochspannungsverstärker
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Keine Pläne für die Absetzen
Ersatz und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnetes Verhältnis von Leistung zu Kosten
Kompaktes und effizientes PowersFn8 -Paket
Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen
Zuverlässig und ROHS3 -konform
Verfügbarkeit von Ersatz und Upgrades

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