Hersteller Teilnummer
STP100N6F7
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Paket zum Umschalten und Steuerungsanwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
60 V Drain-Source-Spannung
100A kontinuierlicher Abflussstrom
6 MOhm Maximal On-Resistenz
Schnelles Umschalten
Niedrige Torladung
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 175 ° C)
Produktvorteile
Ausgezeichnete Fähigkeit zur Krafthandhabung
Effiziente Schaltleistung
Zuverlässiger Betrieb in Hochtemperaturumgebungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 60 V
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 5,6 MOHM
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 100a
Eingangskapazität (CISS): 1980PF
Leistungsdissipation (TC): 125W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-220-Paket für zuverlässige Wärmeabteilung
Kompatibilität
Geeignet für das Umschalten und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Konverter
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt
Ersatz und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Effiziente Schaltleistung
Breiter Betriebstemperaturbereich
Zuverlässiger Betrieb in harten Umgebungen
ROHS3 Compliance für umweltfreundliche Anwendungen
STP100NF03L-03STMicroelectronics
STP1013STANSON