Hersteller Teilnummer
STP11NM60FDFP
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Einzel-N-Kanal-MOSFET mit schneller Schaltleistung und geringem Widerstand im Stadium.
Produktfunktionen und Leistung
600 V Drain-Source-Spannung
11a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
450 mΩ Maximaler Einstiegswiderstand bei 5,5a, 10 V
900PF Maximale Eingangskapazität bei 25 V.
35W maximale Leistungsdissipation bei TC
5 V Maximale Gate -Schwellenspannung bei 250a
10 V Maximale Antriebsspannung für den minimalen Widerstand im Zustand
Produktvorteile
Schnelle Schaltleistung
Niedriger Widerstand im Zustand
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Robustes und zuverlässiges Design
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
Widerstand auf dem Staat (RDS (ON)): 450 mΩ @ 5,5A, 10 V
Abflussstrom (ID): 11A (TC)
Eingangskapazität (CISS): 900PF @ 25V
Leistungsdissipation (PD): 35W (TC)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Qualifiziert für Automobil- und Industriestandards
Kompatibilität
To-220-3 Full Packpaket
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrieautomatisierung und Kontrolle
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatz und Upgrades verfügbar
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Schnelle Schaltleistung für eine effiziente Leistungsumwandlung
Niedriger Widerstand gegen den Staat bei reduzierten Stromverlusten
Hochleistungsbeschäftigte Fähigkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Robustes und zuverlässiges Design für den langfristigen Betrieb
Einhaltung der Sicherheits- und Umweltstandards der Branche
