Hersteller Teilnummer
STP130N10F3
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor für die Verwendung in einer Vielzahl von elektronischen Leistungsanwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
100 V Drain-Source-Spannung
120a kontinuierlicher Abflussstrom
6mΩ Maximale On-Resistenz
3305PF Maximale Eingangskapazität
250W maximale Leistung Dissipation
-55 ° C bis 175 ° C Betriebstemperaturbereich
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung und Kontrolle
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Geeignet für eine Vielzahl von Stromanwendungen
Wichtige technische Parameter
VDSS: 100V
VGS (max): ± 20 V
RDS (ON) (max): 9,6 mΩ
ID (kontinuierlich): 120a
CISS (max): 3305Pf
PTOT (max): 250W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
To-220-Paket für eine effiziente Wärmeabteilung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von elektronischen Stromkreisen und Systemen.
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Verstärker
Power -Konverter
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist ein aktiver und weit verbreiteter Teil.Austausch und Upgrades können bei STMICROELECTRONICS oder anderen Herstellern erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Breiter Betriebstemperaturbereich
Zuverlässiges und robustes Design
Kompatibilität mit einem breiten Spektrum an Strom -Elektronikanwendungen
STP130NS04ZBSTMicroelectronics