Hersteller Teilnummer
STP17N80K5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für hocheffiziente Leistungskonvertierungsanwendungen
Niedrige On-Resistenz bei niedrigen Leitungsverlusten
Schneller Schalter für den Hochfrequenzbetrieb
Hochspannungsfähigkeit bis zu 800 V
Produktvorteile
Ausgezeichnete Leistungsdichte
Hohe Effizienz
Hohe Zuverlässigkeit
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 800 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 340mΩ @ 7a, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 14a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 866PF @ 100V
Leistungsdissipation (TC): 170W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Qualifiziert für Automobil- und Industrieanwendungen
Kompatibilität
Geeignet für die Verwendung in verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Konverter
Industrie- und Automobilelektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Keine bekannten Pläne für den Absetzen
Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten
Hervorragende Effizienz und Leistungsdichte
Zuverlässige Leistung in harten Umgebungen
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen
STP175FPROTECTRONICS
STP1806STMicroelectronics