- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
STx200N6F3.pdfPCN -Obsoleszenz/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdfSTP200N6F3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP200N6F3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP200N6F3
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 | |
| Serie | STripFET™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 60A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 330W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 | |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 25 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | STP200 |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 -konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP200N6F3.
| Produkteigenschaften | ||||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | STP200N6F3 | 2N5339P | 2N5339QFN | 2N5339 |
| Hersteller | STMicroelectronics | Microchip Technology | Microchip Technology | Central Semiconductor Corp |
| Typ FET | N-Channel | - | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | - | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) | - | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 60A, 10V | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 25 V | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - | - | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 200°C | -55°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 | TO-39 (TO-205AD) | TO-39 (TO-205AD) | TO-39 |
| Verlustleistung (max) | 330W (Tc) | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | - | - | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Befestigungsart | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Paket | Tube | Bulk | Bulk | Box |
| Serie | STripFET™ | - | - | - |
| Grundproduktnummer | STP200 | - | - | - |
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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