Hersteller Teilnummer
STP21NM60nd
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor -FET, MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
600 V Abfluss zur Quellspannung
25 -V -Tor zur Quellspannung
220MOHM max
17a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
1800PF MAX -Eingangskapazität @ 50V
140W Max Power Dissipation
N-Kanal-Mosfet
5 V Max Schwellenspannung @ 250a
10 -V -Antriebsspannungsbereich
60nc Max Gate Ladung @ 10V
Produktvorteile
Hochspannung und Stromfähigkeit
Niedriger Widerstand im Zustand
Hochleistungshandling
Wichtige technische Parameter
Spannungsbewertung: 600 V Drain-Source
Aktuelle Bewertung: 17A kontinuierlicher Abflussstrom
Resistenz im Staat
Kapazität: 1800PF Max -Eingangskapazität
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
To-220 Paket
Kompatibilität
Geeignet für verschiedene elektronische Leistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Leistungsumwandlung
Motor fährt
Stromversorgungsversorgung
Industriekontrollen
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, keine Abbruchpläne
Hauptgründe zur Auswahl
Hochspannung und Stromfähigkeit
Niedriger Widerstand im Zustand für effiziente Leistungsumwandlungen
Robustes TO-220-Paket für einen zuverlässigen Betrieb
Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen
