Hersteller Teilnummer
STP270N8F7
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in TO-220-Paket
Produktfunktionen und Leistung
Niedrige On-Resistenz (RDS (ON) = 2,5 MΩ)
Hohe Stromfähigkeit (ID = 180 a bei 25 ° C)
Hohe Breakdown -Spannung (VDS = 80 V)
Breiter Temperaturbereich (-55 ° C bis 175 ° C)
Schnelles Umschalten
Niedrige Gate -Ladung (QG = 193 NC)
Produktvorteile
Hervorragende Effizienz und Leistungsdichte
Reduzierte Stromverluste
Kompaktes Design
Zuverlässig und langlebig
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDS): 80 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 2,5 MΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 180 a
Eingangskapazität (CISS): 13600 PF
Leistungsdissipation (PTOT): 315 W.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
To-220-Paket für zuverlässige thermische Verwaltung
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Industrieautomatisierung
Elektrofahrzeuge
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und nähert sich nicht nähert sich ab.Austausch und Upgrades können bei STMICROELECTRONICS erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Leistung und Effizienz
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Zuverlässiges und langlebiges Design
Breiter Betriebstemperaturbereich
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung

STP2711LFRAKON