Hersteller Teilnummer
STP33N60DM6
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor
Teil der M6 M6 -Serie
Produktfunktionen und Leistung
Entwickelt für hocheffiziente Stromumrechnungsanwendungen
Optimiert für Hochfrequenzwechsel
Extrem niedrige Einwindungs- und schnelle Schaltzeiten
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Produktvorteile
Verbesserte Energieeffizienz
Reduzierte Stromverluste
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Wichtige technische Parameter
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 600 V.
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
Maximaler Abflussstrom (ID): 25 a
On-Resistenz (RDS (ON)): 128 MΩ
Eingangskapazität (CISS): 1500 PF
Leistungsdissipation (TC): 190 W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS -konform
Geeignet für hochzuverständliche Anwendungen
Robuste und langlebige Konstruktion
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von Leistungselektronik und industriellen Anwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Leistungsfaktorkorrekturschaltungen
Induktionsheizung
Schweißausrüstung
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell, keine Pläne für den Absetzen
Verfügbarkeit von kompatiblen Ersatz- oder Upgrade -Modellen
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Energieeffizienz und niedrige Stromverluste
Zuverlässige und langlebige Leistung über einen weiten Temperaturbereich
Optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen
Nachgewiesene Erfolgsbilanz in einer Vielzahl von Energieelektronik und industriellen Anwendungen
Nahtlose Integration und Kompatibilität mit vorhandenen Systemen
STP3401SEMTRON
STP32H100USTMicroelectronics