- Jess***Jones
- 2026/04/17
Datenblätter
STP3NB100(FP).pdfSTP3NB100 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP3NB100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP3NB100
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 | |
| Serie | PowerMESH™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 1.5A, 10V | |
| Verlustleistung (max) | 100W (Tc) | |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 | |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) | |
| Grundproduktnummer | STP3N |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | RoHS nicht konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status erreichen | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP3NB100.
| Produkteigenschaften | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | STP3NB100 | STP3N80K5 | STP3NA60FI | STP3NA90ZFP |
| Hersteller | STMicroelectronics | STMicroelectronics | VBSEMI | STMicroelectronics |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | 9.5 nC @ 10 V | - | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Verlustleistung (max) | 100W (Tc) | 60W (Tc) | - | - |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) | 2.5A (Tc) | - | - |
| Paket | Tube | Tube | - | - |
| Grundproduktnummer | STP3N | STP3N80 | - | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| Vgs (Max) | ±30V | ±30V | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 | TO-220-3 | - | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V | 800 V | - | - |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 | TO-220 | - | - |
| Serie | PowerMESH™ | SuperMESH5™ | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 1.5A, 10V | 3.5Ohm @ 1A, 10V | - | - |
| Befestigungsart | Through Hole | Through Hole | - | - |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V | 130 pF @ 100 V | - | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| Typ FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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